毋庸置疑，Micro LED轉移工藝在Micro LED顯示屏的生產過程中至關重要，甚至可以說是整個工藝中最具挑戰性的部分。

（圖片來源：microled-info）

    這個階段，涉及到載有Micro LED芯片的晶圓，以及頂部帶有背板TFT的顯示基板。而在這個極具挑戰性的過程中，存在三個主要挑戰——精度、速度和可靠性。

    需要注意的是，如果顯示器是基于RGB Micro LED設備，則這一過程會更加復雜——這就是為什么許多Micro LED制造商會采用具有顏色轉換功能的藍色LED。

    1）精度。由于Micro LED芯片非常小，因此必須將其放置在正確的位置，并且幾乎沒有出錯的余地。

    2）速度。如今的許多顯示器都具有非常高的分辨率——甚至智能手機的顯示器也接近4K分辨率。4K顯示器使用超過2400萬個子像素。即使使用巨量轉移（mass transfer）工具，這仍然是一個挑戰，因為顯示行業需要依靠快速且具有成本效益的生產來實現低成本。

    3）可靠性。在當前的LCD和OLED行業中，生產商設法實現極高的良率，并且隨著顯示器分辨率和尺寸的增加，良率變得更加關鍵。關于Micro LED良率的問題將在下文討論。

    面對如此復雜的過程，在過去幾年中，已經誕生了幾種不同的技術路線。大多數公司似乎都專注于基于印章的流程。有幾種方法可以開發可以拾取、保持、移動和釋放Micro LED的印章，譬如使用范德華力、使用靜電荷、使用磁性、粘合劑等。一些公司正在尋找實現拾取和放置過程的新方法——使用流體組裝或光化學聚合物。我們將在下面詳細介紹所有公共轉移過程技術。

    一些研究人員將轉移過程分類如下：

    （1）印章取放

    （2）自組裝

    （3）選擇性釋放

    （4）卷筒印刷

    轉移過程需要做的不僅僅是按原樣轉移LED。一個問題是間距（也稱為間距擴大）——源晶片中的Micro LED被封裝在一起，彼此靠近——但在最終的顯示器上，它們需要被間隔開（數量取決于顯示器的像素間距）。此外，正如我們將在下文詳述的那樣，外延片生產階段的缺陷（很難完全消除）意味著必須完全跳過一些LED。

Micro LED的間距需求（圖片來源：eLux）

    基本的轉移過程將LED直接從原始晶圓轉移到顯示基板。然而，一些工藝使用中間基板（也稱為中介層）。這可能有幾點好處，例如，可以解決有缺陷的LED問題，可以執行LED間距等。

    1.良率、檢查與維修

    與早期的LCD顯示器不同，當今的消費者甚至不會接受顯示器中的一個故障像素（更不用說基于新技術的高端顯示器了）。由于生產過程永遠不會100%沒有故障，因此顯示器生產的良率對于高效和令人滿意的生產至關重要。

    在Micro LED顯示制程中，需要檢查的主要有兩點。

    第一是在Micro LED生產過程中——在外延片階段和芯片加工階段之后，測試Micro LED芯片的缺陷和質量至關重要。

    第二個主要檢查階段是跟隨轉移過程，這也可能導致芯片損壞。在此步驟之后，可能需要修復有缺陷的LED。一些Micro LED轉移技術開發商在轉移過程中集成了檢查和修復過程，這似乎是一個重要的優勢。一些行業專家表示，良率損失可能是低成本Micro LED生產的最大不利因素。

    Micro LED顯示器可能包含數百萬個單獨的LED。4K顯示器擁有超過2400萬個子像素，而8K顯示器大約有1億個。這意味著即使在非常高的良率下，也無法避免有缺陷的LED。在99.99999%的良率下，每塊4K顯示器中將含有約2個有缺陷的LED。這意味著必須實施一些修復解決方案。

    2.無需轉移的Micro LED生產

    由于拾取和放置過程極具挑戰性，因此不需要此步驟的Micro LED生產過程闖入了人們的視野。

    舉例來說，美國的iBeam Materials開發了一種基于離子束的技術，用于對各種大面積基板上的薄層進行晶體排列，包括薄而靈活的大面積金屬箔。這種技術可用于直接在大面積柔性基板上生產Micro LED器件。2019年9月，iBeam 宣布已獲得三星風投，以加速其Micro LED的開發。這項技術目前還處于非常早期的階段，未來該項技術或其他技術有望進一步成熟并商業化。