關鍵詞五：“芯”突破

    在積極布局應用端的同時，LED屏企也在持續推高技術研發的天花板。而2022年在MLED技術端的研發重點，則主要集中于芯片層面的新突破。

    近年來，關于MLED技術的研發，新材料的突破是一個焦點，典型的如氮化鎵材料直接發紅光的研究。

    據了解，目前RGB LED的三基色光中，藍、綠光芯片已經實現了第三代半導體氮化鎵材料直接發光，而紅光芯片則仍處于第二代半導體砷化鎵材料。而這樣的材料組合體系，體現出了不匹配，紅光LED發光效率不足的行業痛點。

    于是，針對紅光氮化鎵的研發和突破，成為2022年行業的熱點。據了解，AET阿爾泰已在年內實現了Mini LED氮化鎵紅光芯片成功點亮。公司旗下的“氮化鎵直接發紅光項目”，通過氮化鎵直接發出紅光，已實現620波長6.5%外量子效率（EQE），未來有望進一步達到20%的外量子效率，比現有的砷化鎵紅光芯片實現更高效率，有助于推動基于氮化物Micro LED技術的新型顯示產業發展。

    此外，利亞德與賽富樂斯（Saphlux）聯合開發的，行業首款采用量子點Micro LED芯片的顯示屏也于年內發布。

    賽富樂斯的NPQD®技術是指基于納米孔結構（Nanopores）的量子點（Quantum Dot）芯片集成技術，采用氮化鎵結合紅光量子點進行色彩轉換，規避了這一材料限制。且納米孔結構具有獨特的散射效應，能夠將有效光徑提高8倍，出光面積提高40倍，在5微米的量子點厚度內實現99.99%的光轉換效率，并增強量子點可靠性。該項重大技術突破將全面提速Micro LED顯示技術的商業化進程。

    無論采用何種技術路線，2022年以來行業針對LED芯片層面的基礎性研發及突破性成果，都將有益于進一步加快MLED技術的成熟和商業化應用進程。