為推動我國新型平板顯示產業快速發展，落實“寬帶中國”戰略，國家發展改革委、工業和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網絡設備研發及產業化專項。其中，新型平板顯示領域重點支持項目如下：

    1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發和產業化

    要求：驅動電壓≤7V，響應時間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω？cm，單體純度>99.90%，粘度<20mPa？s；申報單位已實現年銷售量大于1噸。

    2、有源有機發光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發和產業化

    要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報單位已實現年銷售量大于80套。

    3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發和產業化

    要求：達產后形成年產發光材料25公斤、其他材料500公斤的生產能力，其中：藍光材料色度坐標達到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率>6cd/A；空穴傳輸材料遷移率>8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試，遷移率>5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉變溫度Tg≥130℃；驅動電壓低于4V情況下，對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠（>5000cd/m2）≥3000小時，藍（>500cd/ m2）≥1000小時；實驗片發光區面積3mm×3mm。

    4、高分辨率面板驅動IC研發和產業化

    要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素數目）及以上手機面板，并可根據面板廠商要求提供不同接口技術。

    5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發和產業化

    要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時。

    6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發和產業化

    要求：靶材利用率>75%，薄膜非均勻性<5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。

    7、AMOLED蒸鍍設備研發及產業化

    要求：最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（發光顯示）材料利用率≥25%，OLED鍍膜均勻度≤±3%，對位精度2μm，生產節拍120秒。

    申報要求

    1、項目主管部門應根據《中央預算內投資補助和貼息項目管理辦法》的有關規定，按照專項支持重點要求，結合本單位、本地區實際情況，認真做好項目組織和備案工作，指導項目建設單位編寫項目資金申請報告，并協調落實項目建設資金、節能、環保、土地、規劃等相關建設條件。項目主管部門應對資金申請報告及相關附件進行認真核實，并負責對其真實性予以確認。

    2、項目建設單位應為企業法人，一個單位限報一個項目。項目建設單位應實事求是制定建設方案，嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內容參見附件1。

    3、申報新型平板顯示領域的材料廠商需提供與面板企業簽署的合作協議；設備廠商需提供與面板企業簽署的聯合開發協議。其中，申報濺射設備的廠商需提供與配套靶材企業簽署的合作協議。

    4、申報寬帶網絡設備領域的單位，應結合自身基礎條件，在支持重點方向中自行選擇兩類以上設備申報。

    5、請各項目主管部門于2014年5月16日前，將項目資金申請報告和有關附件、項目簡介（不超過3000字）、匯總表（見附件2）等紙質文件一式2份及電子版，分別報送國家發展改革委（高技術司）、工業和信息化部（規劃司）。