日本，東京 — 索尼公司今天宣布已獨立研發(fā)出一項磁帶存儲技術(shù)，該技術(shù)使用物理濺射沉積的方法制造出擁有平滑表面的軟磁帶底層，同時還創(chuàng)造出具有細(xì)磁顆粒和統(tǒng)一結(jié)晶朝向的納米晶粒磁帶層。這一技術(shù)令索尼成功研發(fā)出全球最高存儲密度的磁帶，達(dá)到148GB/平方英寸。這一存儲能力相當(dāng)于傳統(tǒng)主流涂層磁帶的74倍，每盤磁帶的存儲數(shù)據(jù)量達(dá)到185TB。

    索尼將于5月4日在德國德累斯頓舉行的國際磁學(xué)會議2014（Intermag2014）上，與協(xié)助測定并評估新技術(shù)記錄密度的IBM共同發(fā)布此成果。

    近年來，自然災(zāi)害后數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器等信息系統(tǒng)的快速修復(fù)，以及信息安全管理越發(fā)重要，各公司都在推動設(shè)立新的數(shù)據(jù)系統(tǒng)。此外，隨著云服務(wù)的擴(kuò)大，新市場開拓中大數(shù)據(jù)的應(yīng)用，大容量數(shù)據(jù)存儲媒體的市場需求不斷增長。

    現(xiàn)有的磁帶存儲媒體以在膠帶上涂抹磁粉的磁帶為主流，這種技術(shù)使用了大小為數(shù)十納米量級的磁性粒子，在采用線性記錄方式的LTO格式最高數(shù)據(jù)協(xié)議LTO6（非壓縮）的情況下，記錄密度約為2Gb/平方英寸，記錄容量為2.5TB（非壓縮）。

    過去，涂層型磁帶通過不斷改進(jìn)磁粉的細(xì)微化技術(shù)，實現(xiàn)了高密度數(shù)據(jù)記錄。涂層型磁帶在生產(chǎn)方面具有一定優(yōu)勢，但面向未來的高記錄密度需求，如何生產(chǎn)出更微小的磁性粒子在技術(shù)上面臨很大難題。

    索尼通過研發(fā)出一種新的真空薄膜制造技術(shù)，制造出極細(xì)膩的結(jié)晶顆粒，旨在由此創(chuàng)造出切實可用的新一代存儲媒體。這項新技術(shù)利用物理濺射沉積的方法（一種新的真空薄膜制造技術(shù)），在厚度僅為5微米的高分子膜上制造出多層次且朝向相同的結(jié)晶顆粒，而此前，當(dāng)使用物理濺射沉積的方法向高分子膜上安置細(xì)磁顆粒時，由于軟底層表面不夠平滑，使得底層結(jié)晶顆粒的朝向不一致。這樣，上面的納米晶粒磁帶層也會產(chǎn)生晶體朝向不一致以及細(xì)磁顆粒大小不一的現(xiàn)象，令增加存儲密度無法實現(xiàn)。通過優(yōu)化物理濺射條件和獨立開發(fā)向一種具有平滑表面的軟磁帶底層，索尼使降低晶體長度及生長方向不一致成為可能。由此制造出來的納米晶粒磁帶層上的細(xì)磁顆粒平均大小為7.7納米。如果使用一種研發(fā)中的記錄和驗證方式去評測使用了這種技術(shù)的磁帶，就會得出148GB/平方英寸的全球最高存儲密度，相當(dāng)于傳統(tǒng)主流涂層磁帶的74倍。

    索尼將致力于推動下一代磁帶存儲媒體的商業(yè)化，并繼續(xù)研發(fā)通過濺射沉積方式制作薄膜的技術(shù)，以實現(xiàn)更高的記錄密度。