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美國氮化鎵LED技術(shù)使光通量倍增

來源:投影時(shí)代 更新日期:2014-03-24 作者:pjtime資訊組

    美國物理學(xué)家組織網(wǎng)近日報(bào)道,美國北卡羅來納州立大學(xué)的科學(xué)家日前開發(fā)出一種新技術(shù),能夠在不增加用電量的情況下大幅提升發(fā)光二極管(LED)的亮度。同時(shí),借助一種特殊的涂層材料,使這種新型LED與普通LED產(chǎn)品相比更為穩(wěn)定,適應(yīng)性更強(qiáng)。

    相關(guān)論文在線發(fā)表在國際著名化學(xué)期刊《朗繆爾(Langmuir)》上。論文第一作者、美國北卡羅來納州立大學(xué)博士斯圖爾特·威爾金斯稱,他們是通過在極性氮化鎵半導(dǎo)體上涂布一種自組磷酸基涂層的方式來實(shí)現(xiàn)這一目的的。

    研究人員首先通過多層自組裝技術(shù)用氮和鎵制造出氮化鎵。而后又增加了包含有機(jī)磷分子的磷酸基,將其涂布在氮化鎵材料的表面上。氮化鎵半導(dǎo)體的使用提高了LED的發(fā)光效率,磷酸基材料則保證了氮化鎵的穩(wěn)定性,使其不易與環(huán)境中的物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng),減少其在溶液中被溶解的可能。

    “提高氮化鎵的穩(wěn)定性是非常重要的。”威爾金斯說,“因?yàn)檫@能為新技術(shù)未來在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域創(chuàng)造條件。例如,植入式傳感器。”

    據(jù)了解,與市場上常見的硅半導(dǎo)體LED相比,氮化鎵半導(dǎo)體可提高光輸出。如果在同樣的電力消耗下,硅半導(dǎo)體LED的光通量能達(dá)到1000流明,氮化鎵半導(dǎo)體LED的光通量將能達(dá)到2000流明以上。因此,基于氮化鎵半導(dǎo)體的LED發(fā)光效率更高,更節(jié)能。此外,與硅半導(dǎo)體LED相比,氮化鎵半導(dǎo)體LED體積小、重量輕,更易實(shí)現(xiàn)集成。

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