MOCVD設備是制作LED外延片的關鍵設備，而LED外延片的水平決定了整個LED產業的水平。我國于2003年正式實施“國家半導體照明工程”,并在“十五”、“十一五”重點攻關課題和“863”計劃中，將MOCVD設備國產化列入重點支持方向。

    在國家政策的支持下，“十五”期間，我國在MOCVD設備國產化方面已取得了初步成效。中國電子科技集團公司第四十八研究所通過消化吸收和關鍵技術再創新等措施，研發成功了GaN生產型MOCVD設備（6×2″），填補了國內空白，使長期制約我國LED產業發展的裝備瓶頸得以突破。同時，中科院半導體所、南昌大學、青島杰生電器等單位也成功研發了研究型的MOCVD設備。

    國產MOCVD設備還有很多路要走

    國產MOCVD設備還存在以下問題：

    （1）國產MOCVD設備仍處于技術跟蹤階段，設備產業化水平與生產需要不相適應。目前，國內研制的MOCVD設備最大產能為6片（48所的GaN-MOCVD）。然而，截至到2007年12月，在國外推出的最新型MOCVD設備中，AIXTRON已推出行星式反應器的42片機（AIX2800G4 HT）和CCS反應器的30片機（CRIUS）。由于產能的差距，小批量的MOCVD設備外延片生產成本較高，大大降低了設備的性價比，使得國產設備剛研發出來就已經落后了。量產企業對單批產能的最低要求是在30片以上。

    （2）設備造價高，應用風險大，多數廠商更愿意采購技術成熟的進口設備 MOCVD設備的造價昂貴，生產型MOCVD設備的售價高達1000~2000萬元。廠商對此類設備的采購均十分謹慎，更愿意采購技術成熟、售后服務完善的進口設備，使得國產MOCVD設備的推廣處于尷尬的境地。

    （3）自主創新有待加強，國產MOCVD設備面臨專利壁壘 目前，國產MOCVD設備的研發還處于“消化、吸收”階段，而國外主流商用機型已建立嚴密的專利保護，如AIXTRON的Planetary Reactor反應器、THOMAS SAWN的CCS（Close Coupled Showerhead Reactor）反應器、VEECO的Turbo Disk反應器和日本SANSO公司雙/多束氣流（TF）反應器均是自己獨有的專利技術，國產MOCVD設備產業化面臨專利壁壘的考驗。